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Ⅱ．砷化镓为第三代半导体材料，
（1）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的化学方程式为___．
（2）比较二者的第一电离能：As___Ga（填“<”、“>”或“=”）；
（3）AsH3空间构型为___．
已知（CH3）3Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式是___．
（1）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的化学方程式为___．
（2）比较二者的第一电离能：As___Ga（填“<”、“>”或“=”）；
（3）AsH3空间构型为___．
已知（CH3）3Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式是___．
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解答一
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（1）反应物（CH3）3Ga和AsH3，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有CH4，反应的化学方程式为：（（CH3）3Ga+AsH3
3CH4+GaAs；
故答案为：（CH3）3Ga+AsH3
3CH4+GaAs；
（2）同一周期元素中，元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势，但第VA族元素第一电离能大于相邻元素，Ga属于第IIIA族、As属于第VA族，所以As的第一电离能比Ga的大；
故答案为：>；
（3）AsH3分子中As的价层电子对数=3+
（5-3×1）=4，含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH3）3Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化；
故答案为：三角锥；sp2．
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故答案为：（CH3）3Ga+AsH3
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（2）同一周期元素中，元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势，但第VA族元素第一电离能大于相邻元素，Ga属于第IIIA族、As属于第VA族，所以As的第一电离能比Ga的大；
故答案为：>；
（3）AsH3分子中As的价层电子对数=3+
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故答案为：三角锥；sp2．
（1）根据反应物、生成物结合反应条件可书写化学方程式；
（2）同一周期元素中，元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势；
（3）利用价层电子对互斥模型判断分子的空间构型和杂化方式．
（2）同一周期元素中，元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势；
（3）利用价层电子对互斥模型判断分子的空间构型和杂化方式．
化学方程式的书写 元素电离能、电负性的含义及应用 判断简单分子或离子的构型 原子轨道杂化方式及杂化类型判断
本题考查了方程式的书写、第一电离能的比较、分子空间构型以及杂化类型的判断等知识，题目难度中等，注意相关基础的把握和方法的积累．
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